直讀式鹽密儀絕緣子測(cè)試儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

用于電力系統(tǒng)防污閃檢測(cè)，是測(cè)量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡(jiǎn)稱“鹽密"）的測(cè)量?jī)x器，同時(shí)還可以測(cè)量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測(cè)量精度高、測(cè)量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。

污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ)，準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù)，是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此，鹽密測(cè)量工作對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。

產(chǎn)品參數(shù)

3.1 測(cè)量范圍：

鹽密：0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2（按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn)）

測(cè)量溫度：0℃～100℃

測(cè)量電導(dǎo)率：0～200000μs/cm

3.2 基本誤差：

測(cè)量鹽密：分辨率0.0001 mg/cm2

滿量程精度：±2%

測(cè)量溫度：分辨率0.1℃，精度±0.5℃

測(cè)量電導(dǎo)率：分辨率0.01μs/cm

3.3 環(huán)境溫度：0℃～60℃。

3.4 環(huán)境濕度:<90%。

3.5 體積與重量

整機(jī)機(jī)箱尺寸：長(zhǎng)356mm*寬260mm*高133mm。

整機(jī)重量：約2.5Kg。

參照標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》

GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》

Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》

直讀式鹽密儀絕緣子測(cè)試儀

功能特點(diǎn)

(1)具有量程自動(dòng)切換功能，測(cè)量速度快（3s/次）。

(2)測(cè)量范圍大，鹽密范圍0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2。

(3)中英文界面可自主切換。

(4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕。

(5)可直接顯示并打印鹽密度、電導(dǎo)率、溫度、污穢等級(jí)、統(tǒng)一爬電比距。

(6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償，直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽（ESDD）。

(7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能，降低了對(duì)清洗液的要求。

(8)自動(dòng)將不帶電測(cè)量的鹽密度（ESDD）轉(zhuǎn)換為帶電測(cè)量的鹽密度（ESDD）。

(9)可存儲(chǔ)10萬(wàn)組記錄，并可將記錄導(dǎo)出至U盤或通過(guò)打印機(jī)打印。

(10)可查閱、刪除、導(dǎo)出單條記錄，也可刪除所有記錄。

(11)內(nèi)置大容量充電鋰電池（2600mAh），適合野外現(xiàn)場(chǎng)使用。

相關(guān)術(shù)語(yǔ)：

1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator

XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。

2、爬電距離 creepage distance

在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的距離。

注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。

3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）

絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為相電壓）之比，mm/kV。

4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）

人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）NACL總量除以表面積，mg/cm2。

5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）

絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。

6、不溶物密度（簡(jiǎn)稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）

絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。

7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity（SES）

根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。

8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity（SPS）

在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。

9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class

將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。

10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1

同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。